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SCT2120AFC

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Número de parte	SCT2120AFC
LIXINC Part #	SCT2120AFC
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SCT2120AFC Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 29 - Oct 03 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SCT2120AFC Especificaciones

Número de parte:	SCT2120AFC
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	ROHM Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	29A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	18V
rds en (máx.) @ id, vgs:	156mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 3.3mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	61 nC @ 18 V
vgs (máx.):	+22V, -6V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1200 pF @ 500 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	165W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220AB
paquete / caja:	TO-220-3