1N5257B-TAP | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N5257B-TAP

1N5257B-TAP

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Número de parte	1N5257B-TAP
LIXINC Part #	1N5257B-TAP
Fabricante	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoría	semiconductor discreto › diodos - zener - simple
Descripción	DIODE ZENER 33V 500MW DO35
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	1N5257B-TAP Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 29 - Oct 03 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

1N5257B-TAP Especificaciones

Número de parte:	1N5257B-TAP
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - zener - simple
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	Automotive, AEC-Q101
paquete:	Tape & Box (TB)
estado de la pieza:	Active
voltaje - zener (nom) (vz):	33 V
tolerancia:	±5%
potencia - máx.:	500 mW
impedancia (máx) (zzt):	58 Ohms
corriente - fuga inversa @ vr:	100 nA @ 25 V
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1.1 V @ 200 mA
Temperatura de funcionamiento:	-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	DO-204AH, DO-35, Axial
paquete de dispositivos del proveedor:	DO-35