TSM2N7000KCT A3G | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM2N7000KCT A3G | TSM2N7000KCT A3G Inventory, Best Pricing

TSM2N7000KCT A3G

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Número de parte	TSM2N7000KCT A3G
LIXINC Part #	TSM2N7000KCT A3G
Fabricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TSM2N7000KCT A3G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 29 - Oct 03 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TSM2N7000KCT A3G Especificaciones

Número de parte:	TSM2N7000KCT A3G
Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	TSC (Taiwan Semiconductor)
serie:	-
paquete:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
estado de la pieza:	Discontinued at Digi-Key
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	300mA (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	5Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	0.4 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	7.32 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-92
paquete / caja:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)