HN2D01JE(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN2D01JE(TE85L,F) | HN2D01JE(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

HN2D01JE(TE85L,F)

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	HN2D01JE(TE85L,F)
LIXINC Part #	HN2D01JE(TE85L,F)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - arreglos
Descripción	DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	HN2D01JE(TE85L,F) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 05 - Jul 09 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

HN2D01JE(TE85L,F) Especificaciones

Número de parte:	HN2D01JE(TE85L,F)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - arreglos
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
configuración de diodo:	2 Independent
tipo de diodo:	Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):	80 V
corriente - media rectificada (io) (por diodo):	100mA
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1.2 V @ 100 mA
velocidad:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
tiempo de recuperación inversa (trr):	1.6 ns
corriente - fuga inversa @ vr:	500 nA @ 80 V
temperatura de funcionamiento - empalme:	150°C (Max)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SOT-553
paquete de dispositivos del proveedor:	ESV