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Número de parte | MSRT20060(A)D |
LIXINC Part # | MSRT20060(A)D |
Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
Categoría | semiconductor discreto › diodos - rectificadores - arreglos |
Descripción | DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | MSRT20060(A)D Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | |
Envío |
Número de parte: | MSRT20060(A)D |
Marca: | GeneSiC Semiconductor |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | diodos - rectificadores - arreglos |
Fabricante: | GeneSiC Semiconductor |
serie: | - |
paquete: | Bulk |
estado de la pieza: | Active |
configuración de diodo: | 1 Pair Series Connection |
tipo de diodo: | Standard |
voltaje - dc inversa (vr) (max): | 600 V |
corriente - media rectificada (io) (por diodo): | 200A |
voltaje - adelante (vf) (max) @ si: | 1.1 V @ 200 A |
velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
tiempo de recuperación inversa (trr): | - |
corriente - fuga inversa @ vr: | 10 µA @ 600 V |
temperatura de funcionamiento - empalme: | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje: | Chassis Mount |
paquete / caja: | Three Tower |
paquete de dispositivos del proveedor: | Three Tower |
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En stock | 10870 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $81.33480 | $81.3348 |
25 | $81.33480 | $2033.37 |
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