HN2S02FU(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN2S02FU(TE85L,F) | HN2S02FU(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

HN2S02FU(TE85L,F)

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Número de parte	HN2S02FU(TE85L,F)
LIXINC Part #	HN2S02FU(TE85L,F)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - arreglos
Descripción	SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	HN2S02FU(TE85L,F) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 19 - Sep 23 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

HN2S02FU(TE85L,F) Especificaciones

Número de parte:	HN2S02FU(TE85L,F)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - arreglos
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
configuración de diodo:	3 Independent
tipo de diodo:	Schottky
voltaje - dc inversa (vr) (max):	40 V
corriente - media rectificada (io) (por diodo):	100mA
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	600 mV @ 100 mA
velocidad:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
tiempo de recuperación inversa (trr):	-
corriente - fuga inversa @ vr:	5 µA @ 40 V
temperatura de funcionamiento - empalme:	125°C (Max)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquete de dispositivos del proveedor:	US6