TRS12N65FB,S1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TRS12N65FB,S1Q

TRS12N65FB,S1Q

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Número de parte	TRS12N65FB,S1Q
LIXINC Part #	TRS12N65FB,S1Q
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - arreglos
Descripción	SIC SBD TO-247 V=650 IF=12A
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TRS12N65FB,S1Q Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TRS12N65FB,S1Q Especificaciones

Número de parte:	TRS12N65FB,S1Q
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - arreglos
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
configuración de diodo:	1 Pair Common Cathode
tipo de diodo:	Silicon Carbide Schottky
voltaje - dc inversa (vr) (max):	650 V
corriente - media rectificada (io) (por diodo):	6A (DC)
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1.6 V @ 6 A
velocidad:	No Recovery Time > 500mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	0 ns
corriente - fuga inversa @ vr:	30 µA @ 650 V
temperatura de funcionamiento - empalme:	175°C
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-247-3
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247