VB20120SG-M3/4W | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VB20120SG-M3/4W

VB20120SG-M3/4W

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Número de parte	VB20120SG-M3/4W
LIXINC Part #	VB20120SG-M3/4W
Fabricante	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-263AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	VB20120SG-M3/4W Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 08 - Jul 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

VB20120SG-M3/4W Especificaciones

Número de parte:	VB20120SG-M3/4W
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Schottky
voltaje - dc inversa (vr) (max):	120 V
corriente - media rectificada (io):	20A
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1.33 V @ 20 A
velocidad:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	-
corriente - fuga inversa @ vr:	250 µA @ 120 V
capacitancia @ vr, f:	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-263AB
temperatura de funcionamiento - empalme:	-55°C ~ 150°C