IDV30E65D2XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IDV30E65D2XKSA1 | IDV30E65D2XKSA1 Inventory, Best Pricing

IDV30E65D2XKSA1

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Número de parte	IDV30E65D2XKSA1
LIXINC Part #	IDV30E65D2XKSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE GEN PURP 650V 30A TO220-2
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IDV30E65D2XKSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IDV30E65D2XKSA1 Especificaciones

Número de parte:	IDV30E65D2XKSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):	650 V
corriente - media rectificada (io):	30A (DC)
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	2.2 V @ 30 A
velocidad:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	42 ns
corriente - fuga inversa @ vr:	40 µA @ 650 V
capacitancia @ vr, f:	-
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-220-2 Full Pack
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO220-2 Full Pack
temperatura de funcionamiento - empalme:	-40°C ~ 175°C