US1MHE3_A/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division US1MHE3_A/I

US1MHE3_A/I

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Número de parte	US1MHE3_A/I
LIXINC Part #	US1MHE3_A/I
Fabricante	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	US1MHE3_A/I Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

US1MHE3_A/I Especificaciones

Número de parte:	US1MHE3_A/I
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	Automotive, AEC-Q101
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):	1000 V
corriente - media rectificada (io):	1A
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1.7 V @ 1 A
velocidad:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	75 ns
corriente - fuga inversa @ vr:	10 µA @ 1000 V
capacitancia @ vr, f:	10pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	DO-214AC, SMA
paquete de dispositivos del proveedor:	DO-214AC (SMA)
temperatura de funcionamiento - empalme:	-55°C ~ 150°C