UGB8JT-E3/81 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division UGB8JT-E3/81

UGB8JT-E3/81

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Número de parte	UGB8JT-E3/81
LIXINC Part #	UGB8JT-E3/81
Fabricante	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	UGB8JT-E3/81 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 27 - Oct 31 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

UGB8JT-E3/81 Especificaciones

Número de parte:	UGB8JT-E3/81
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):	600 V
corriente - media rectificada (io):	8A
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1.75 V @ 8 A
velocidad:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	50 ns
corriente - fuga inversa @ vr:	30 µA @ 600 V
capacitancia @ vr, f:	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-263AB
temperatura de funcionamiento - empalme:	-55°C ~ 150°C