VS-20ETF06S-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-20ETF06S-M3

VS-20ETF06S-M3

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Número de parte	VS-20ETF06S-M3
LIXINC Part #	VS-20ETF06S-M3
Fabricante	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	VS-20ETF06S-M3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 28 - Nov 01 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

VS-20ETF06S-M3 Especificaciones

Número de parte:	VS-20ETF06S-M3
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):	600 V
corriente - media rectificada (io):	20A
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1.3 V @ 20 A
velocidad:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	160 ns
corriente - fuga inversa @ vr:	100 µA @ 600 V
capacitancia @ vr, f:	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-263 (D2Pak)
temperatura de funcionamiento - empalme:	-40°C ~ 150°C

ES2CHR5G	DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA	991 Más sobre el pedido
AU3PGHM3_A/I	DIODE AVALANCHE 400V 1.7A TO277A	831 Más sobre el pedido
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SL23HM3_A/I	2A 30V SM SCHOTTKY RECT SMB	975 Más sobre el pedido
HER108G-D1-0000	DIODE GEN PURP 1000V 1A DO41	982 Más sobre el pedido
PMEG3002AESFYL	DIODE SCHOTTKY 30V 0.2A SOD962	7474 Más sobre el pedido
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BAS416,115	DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323	19780 Más sobre el pedido