VS-20ETF12-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-20ETF12-M3

VS-20ETF12-M3

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Número de parte	VS-20ETF12-M3
LIXINC Part #	VS-20ETF12-M3
Fabricante	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	VS-20ETF12-M3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 24 - Oct 28 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

VS-20ETF12-M3 Especificaciones

Número de parte:	VS-20ETF12-M3
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):	1200 V
corriente - media rectificada (io):	20A
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1.31 V @ 20 A
velocidad:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	400 ns
corriente - fuga inversa @ vr:	100 µA @ 1200 V
capacitancia @ vr, f:	-
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-220-2
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220AC
temperatura de funcionamiento - empalme:	-40°C ~ 150°C

AS3PG-M3/86A	DIODE AVALANCHE 400V 2.1A TO277A	4037 Más sobre el pedido
CMSH3-100MFL TR13 PBFREE	DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMAFLAT	10837 Más sobre el pedido
SRL1G	DIODE STD SOD-323 P 400V 1A	980 Más sobre el pedido
1SS361LP3-7	DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN	50956 Más sobre el pedido
NRVHP820LFST1G	RECTIFIER 200V 8A	963 Más sobre el pedido
SDUR1060	DIODE GEN PURP 600V TO220AC	1902 Más sobre el pedido
S1AFJ-M3/6B	DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC	935 Más sobre el pedido
VI20100SG-E3/4W	DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO262AA	977 Más sobre el pedido
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VS-EPH3006L-N3	DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD	1190 Más sobre el pedido