BYS10-35-E3/TR | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BYS10-35-E3/TR

BYS10-35-E3/TR

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Número de parte	BYS10-35-E3/TR
LIXINC Part #	BYS10-35-E3/TR
Fabricante	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE SCHOTTKY 35V 1.5A DO214AC
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BYS10-35-E3/TR Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BYS10-35-E3/TR Especificaciones

Número de parte:	BYS10-35-E3/TR
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Schottky
voltaje - dc inversa (vr) (max):	35 V
corriente - media rectificada (io):	1.5A
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	500 mV @ 1 A
velocidad:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	-
corriente - fuga inversa @ vr:	500 µA @ 35 V
capacitancia @ vr, f:	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	DO-214AC, SMA
paquete de dispositivos del proveedor:	DO-214AC (SMA)
temperatura de funcionamiento - empalme:	-65°C ~ 150°C

UFS330J/TR13	DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB	940 Más sobre el pedido
ES1DHM3_A/H	1A 200V SM ULTRAFAST RECT SMA	866 Más sobre el pedido
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S1B M2G	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	881 Más sobre el pedido
ES2D-TP	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC	969 Más sobre el pedido
FM4003W-W	DIODE GEN PURP 200V 1 A SMX	15903 Más sobre el pedido
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1N5196	DIODE GEN PURP 225V 200MA DO35	974 Más sobre el pedido
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1SS119-04TJ-E-Q	DIODE FOR HIGH SPEED SWITCHING	285835 Más sobre el pedido
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