1SS352,H3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 1SS352,H3F

1SS352,H3F

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Número de parte	1SS352,H3F
LIXINC Part #	1SS352,H3F
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	1SS352,H3F Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 20 - Oct 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

1SS352,H3F Especificaciones

Número de parte:	1SS352,H3F
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):	80 V
corriente - media rectificada (io):	100mA
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1.2 V @ 100 mA
velocidad:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
tiempo de recuperación inversa (trr):	4 ns
corriente - fuga inversa @ vr:	500 nA @ 80 V
capacitancia @ vr, f:	3pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SC-76A
paquete de dispositivos del proveedor:	SC-76-2
temperatura de funcionamiento - empalme:	125°C (Max)

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