VBT1080S-M3/8W | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VBT1080S-M3/8W

VBT1080S-M3/8W

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	VBT1080S-M3/8W
LIXINC Part #	VBT1080S-M3/8W
Fabricante	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	VBT1080S-M3/8W Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Aug 13 - Aug 17 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

VBT1080S-M3/8W Especificaciones

Número de parte:	VBT1080S-M3/8W
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Schottky
voltaje - dc inversa (vr) (max):	80 V
corriente - media rectificada (io):	10A
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	810 mV @ 10 A
velocidad:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	-
corriente - fuga inversa @ vr:	600 µA @ 80 V
capacitancia @ vr, f:	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-263AB
temperatura de funcionamiento - empalme:	-55°C ~ 150°C