US1M-E3/5AT

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Número de parte US1M-E3/5AT
LIXINC Part # US1M-E3/5AT
Fabricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoría semiconductor discretodiodos - rectificadores - simples
Descripción DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD US1M-E3/5AT Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 20 - Oct 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

US1M-E3/5AT Especificaciones

Número de parte:US1M-E3/5AT
Marca:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:diodos - rectificadores - simples
Fabricante:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:-
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de diodo:Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):1000 V
corriente - media rectificada (io):1A
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:1.7 V @ 1 A
velocidad:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):75 ns
corriente - fuga inversa @ vr:10 µA @ 1000 V
capacitancia @ vr, f:10pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:DO-214AC, SMA
paquete de dispositivos del proveedor:DO-214AC (SMA)
temperatura de funcionamiento - empalme:-55°C ~ 150°C

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