US1G-E3/5AT | Vishay General Semiconductor – Diodes Division US1G-E3/5AT

US1G-E3/5AT

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Número de parte	US1G-E3/5AT
LIXINC Part #	US1G-E3/5AT
Fabricante	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	US1G-E3/5AT Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

US1G-E3/5AT Especificaciones

Número de parte:	US1G-E3/5AT
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):	400 V
corriente - media rectificada (io):	1A
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1 V @ 1 A
velocidad:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	50 ns
corriente - fuga inversa @ vr:	10 µA @ 400 V
capacitancia @ vr, f:	15pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	DO-214AC, SMA
paquete de dispositivos del proveedor:	DO-214AC (SMA)
temperatura de funcionamiento - empalme:	-55°C ~ 150°C

S5JBHR5G	DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA	4070 Más sobre el pedido
AU3PDHM3_A/H	DIODE AVALANCHE 200V 1.7A TO277A	965 Más sobre el pedido
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SM4006PL-TP	DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123FL	981 Más sobre el pedido
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