CUHS20S40,H3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation CUHS20S40,H3F

CUHS20S40,H3F

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Número de parte	CUHS20S40,H3F
LIXINC Part #	CUHS20S40,H3F
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	SCHOTTKY BARRIER DIODE, LOW VF,
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CUHS20S40,H3F Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 20 - Oct 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CUHS20S40,H3F Especificaciones

Número de parte:	CUHS20S40,H3F
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Schottky
voltaje - dc inversa (vr) (max):	40 V
corriente - media rectificada (io):	2A
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	470 mV @ 2 A
velocidad:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	-
corriente - fuga inversa @ vr:	300 µA @ 40 V
capacitancia @ vr, f:	290pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	2-SMD, Flat Lead
paquete de dispositivos del proveedor:	US2H
temperatura de funcionamiento - empalme:	150°C (Max)