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NXPSC126506Q

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Número de parte	NXPSC126506Q
LIXINC Part #	NXPSC126506Q
Fabricante	WeEn Semiconductors Co., Ltd
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	SILICON CARBIDE POWER DIODE
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NXPSC126506Q Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 20 - Oct 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NXPSC126506Q Especificaciones

Número de parte:	NXPSC126506Q
Marca:	WeEn Semiconductors Co., Ltd
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	WeEn Semiconductors Co., Ltd
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Silicon Carbide Schottky
voltaje - dc inversa (vr) (max):	650 V
corriente - media rectificada (io):	12A
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1.7 V @ 12 A
velocidad:	No Recovery Time > 500mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	0 ns
corriente - fuga inversa @ vr:	80 µA @ 650 V
capacitancia @ vr, f:	380pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-220-2
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220AC
temperatura de funcionamiento - empalme:	175°C (Max)