1N5809US | Roving Networks / Microchip Technology 1N5809US

1N5809US

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Número de parte	1N5809US
LIXINC Part #	1N5809US
Fabricante	Roving Networks / Microchip Technology
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	1N5809US Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Aug 13 - Aug 17 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

1N5809US Especificaciones

Número de parte:	1N5809US
Marca:	Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	Roving Networks / Microchip Technology
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):	100 V
corriente - media rectificada (io):	3A
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	875 mV @ 4 A
velocidad:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	30 ns
corriente - fuga inversa @ vr:	5 µA @ 100 V
capacitancia @ vr, f:	60pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SQ-MELF, B
paquete de dispositivos del proveedor:	B, SQ-MELF
temperatura de funcionamiento - empalme:	-65°C ~ 175°C