JDH2S02SL,L3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation JDH2S02SL,L3F

JDH2S02SL,L3F

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	JDH2S02SL,L3F
LIXINC Part #	JDH2S02SL,L3F
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	X34 HIGH FREQUENCY SCHOTTKY BARR
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	JDH2S02SL,L3F Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 06 - Oct 10 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

JDH2S02SL,L3F Especificaciones

Número de parte:	JDH2S02SL,L3F
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Schottky
voltaje - dc inversa (vr) (max):	10 V
corriente - media rectificada (io):	10mA (DC)
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	-
velocidad:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
tiempo de recuperación inversa (trr):	-
corriente - fuga inversa @ vr:	25 µA @ 500 mV
capacitancia @ vr, f:	0.25pF @ 200mV, 1MHz
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	0201 (0603 Metric)
paquete de dispositivos del proveedor:	SL2
temperatura de funcionamiento - empalme:	125°C (Max)