1N4448,113 | NXP Semiconductors 1N4448,113 | 1N4448,113 Inventory, Best Pricing

1N4448,113

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Número de parte	1N4448,113
LIXINC Part #	1N4448,113
Fabricante	NXP Semiconductors
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	1N4448,113 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 24 - Sep 28 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

1N4448,113 Especificaciones

Número de parte:	1N4448,113
Marca:	NXP Semiconductors
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	NXP Semiconductors
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de diodo:	Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):	100 V
corriente - media rectificada (io):	200mA (DC)
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1 V @ 100 mA
velocidad:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
tiempo de recuperación inversa (trr):	4 ns
corriente - fuga inversa @ vr:	25 nA @ 20 V
capacitancia @ vr, f:	4pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	DO-204AH, DO-35, Axial
paquete de dispositivos del proveedor:	ALF2
temperatura de funcionamiento - empalme:	200°C (Max)