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IDC08S120EX1SA3

IDC08S120EX1SA3
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Número de parte IDC08S120EX1SA3
LIXINC Part # IDC08S120EX1SA3
Fabricante IR (Infineon Technologies)
Categoría semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción DIODE SCHOTTKY 1.2KV 7.5A WAFER
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD IDC08S120EX1SA3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 25 - Oct 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IDC08S120EX1SA3 Especificaciones

Número de parte:IDC08S120EX1SA3
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:diodos - rectificadores - simples
Fabricante:IR (Infineon Technologies)
serie:CoolSiC™+
paquete:Bulk
estado de la pieza:Obsolete
tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
voltaje - dc inversa (vr) (max):1200 V
corriente - media rectificada (io):7.5A (DC)
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:1.8 V @ 7.5 A
velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):0 ns
corriente - fuga inversa @ vr:180 µA @ 1200 V
capacitancia @ vr, f:380pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:Die
paquete de dispositivos del proveedor:Sawn on foil
temperatura de funcionamiento - empalme:-55°C ~ 175°C

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