SIDC08D60C8X1SA2 | IR (Infineon Technologies) SIDC08D60C8X1SA2 | SIDC08D60C8X1SA2 Inventory, Best Pricing

SIDC08D60C8X1SA2

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Número de parte	SIDC08D60C8X1SA2
LIXINC Part #	SIDC08D60C8X1SA2
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SIDC08D60C8X1SA2 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 27 - Oct 31 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SIDC08D60C8X1SA2 Especificaciones

Número de parte:	SIDC08D60C8X1SA2
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):	600 V
corriente - media rectificada (io):	30A (DC)
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1.95 V @ 30 A
velocidad:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	-
corriente - fuga inversa @ vr:	27 µA @ 600 V
capacitancia @ vr, f:	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	Die
paquete de dispositivos del proveedor:	Die
temperatura de funcionamiento - empalme:	-40°C ~ 175°C

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