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SIDC08D120F6X1SA3

SIDC08D120F6X1SA3
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Número de parte SIDC08D120F6X1SA3
LIXINC Part # SIDC08D120F6X1SA3
Fabricante IR (Infineon Technologies)
Categoría semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción DIODE GEN PURP 1.2KV 7A WAFER
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD SIDC08D120F6X1SA3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIDC08D120F6X1SA3 Especificaciones

Número de parte:SIDC08D120F6X1SA3
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:diodos - rectificadores - simples
Fabricante:IR (Infineon Technologies)
serie:-
paquete:Bulk
estado de la pieza:Discontinued at Digi-Key
tipo de diodo:Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):1200 V
corriente - media rectificada (io):7A (DC)
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:2.1 V @ 7 A
velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):-
corriente - fuga inversa @ vr:27 µA @ 1200 V
capacitancia @ vr, f:-
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:Die
paquete de dispositivos del proveedor:Sawn on foil
temperatura de funcionamiento - empalme:-55°C ~ 150°C

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