VS-C08ET07T-M3

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Número de parte	VS-C08ET07T-M3
LIXINC Part #	VS-C08ET07T-M3
Fabricante	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rf
Descripción	SILICON CARBIDE DIODE - TO-220
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	VS-C08ET07T-M3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
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VS-C08ET07T-M3 Especificaciones

Número de parte:	VS-C08ET07T-M3
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rf
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Schottky - Single
voltaje - pico inverso (max):	650V
actual - máx.:	8 A
capacitancia @ vr, f:	355pF @ 1V, 1MHz
resistencia @ si, f:	-
disipación de potencia (máx.):	54 W
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
paquete / caja:	TO-220-2
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220AC

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