BZD27B8V2P-HE3-18 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BZD27B8V2P-HE3-18 | BZD27B8V2P-HE3-18 Inventory, Best Pricing

BZD27B8V2P-HE3-18

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Número de parte	BZD27B8V2P-HE3-18
LIXINC Part #	BZD27B8V2P-HE3-18
Fabricante	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoría	semiconductor discreto › diodos - zener - simple
Descripción	DIODE ZENER 8.2V 800MW DO219AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BZD27B8V2P-HE3-18 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BZD27B8V2P-HE3-18 Especificaciones

Número de parte:	BZD27B8V2P-HE3-18
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - zener - simple
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	Automotive, AEC-Q101, BZD27B
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
voltaje - zener (nom) (vz):	8.2 V
tolerancia:	-
potencia - máx.:	800 mW
impedancia (máx) (zzt):	2 Ohms
corriente - fuga inversa @ vr:	10 µA @ 3 V
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1.2 V @ 200 mA
Temperatura de funcionamiento:	-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	DO-219AB
paquete de dispositivos del proveedor:	DO-219AB (SMF)