BZD27C3V9P-HE3-08 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BZD27C3V9P-HE3-08 | BZD27C3V9P-HE3-08 Inventory, Best Pricing

BZD27C3V9P-HE3-08

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	BZD27C3V9P-HE3-08
LIXINC Part #	BZD27C3V9P-HE3-08
Fabricante	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoría	semiconductor discreto › diodos - zener - simple
Descripción	DIODE ZENER 3.9V 800MW DO219AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BZD27C3V9P-HE3-08 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 29 - Oct 03 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BZD27C3V9P-HE3-08 Especificaciones

Número de parte:	BZD27C3V9P-HE3-08
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - zener - simple
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	Automotive, AEC-Q101, BZD27C
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
voltaje - zener (nom) (vz):	3.9 V
tolerancia:	-
potencia - máx.:	800 mW
impedancia (máx) (zzt):	8 Ohms
corriente - fuga inversa @ vr:	50 µA @ 1 V
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1.2 V @ 200 mA
Temperatura de funcionamiento:	-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	DO-219AB
paquete de dispositivos del proveedor:	DO-219AB (SMF)