NSBC114EPDXV6T1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NSBC114EPDXV6T1G

NSBC114EPDXV6T1G

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	NSBC114EPDXV6T1G
LIXINC Part #	NSBC114EPDXV6T1G
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - arreglos, prepolarizados
Descripción	TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NSBC114EPDXV6T1G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NSBC114EPDXV6T1G Especificaciones

Número de parte:	NSBC114EPDXV6T1G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - arreglos, prepolarizados
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
corriente - colector (ic) (max):	100mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	50V
resistencia - base (r1):	10kOhms
resistencia - base del emisor (r2):	10kOhms
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	35 @ 5mA, 10V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	250mV @ 300µA, 10mA
corriente - corte del colector (máx.):	500nA
frecuencia - transición:	-
potencia - máx.:	500mW
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SOT-563, SOT-666
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-563