RN2908FE(TE85L,F)

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Número de parte RN2908FE(TE85L,F)
LIXINC Part # RN2908FE(TE85L,F)
Fabricante Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría semiconductor discretotransistores - bipolar (bjt) - arreglos, prepolarizados
Descripción TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD RN2908FE(TE85L,F) Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RN2908FE(TE85L,F) Especificaciones

Número de parte:RN2908FE(TE85L,F)
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - bipolar (bjt) - arreglos, prepolarizados
Fabricante:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
corriente - colector (ic) (max):100mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):50V
resistencia - base (r1):22kOhms
resistencia - base del emisor (r2):47kOhms
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 10mA, 5V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
corriente - corte del colector (máx.):100nA (ICBO)
frecuencia - transición:200MHz
potencia - máx.:100mW
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:SOT-563, SOT-666
paquete de dispositivos del proveedor:ES6

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