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EMD3T2R

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Número de parte	EMD3T2R
LIXINC Part #	EMD3T2R
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - arreglos, prepolarizados
Descripción	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	EMD3T2R Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

EMD3T2R Especificaciones

Número de parte:	EMD3T2R
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - arreglos, prepolarizados
Fabricante:	ROHM Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
corriente - colector (ic) (max):	100mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	50V
resistencia - base (r1):	10kOhms
resistencia - base del emisor (r2):	10kOhms
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	30 @ 5mA, 5V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	300mV @ 500µA, 10mA
corriente - corte del colector (máx.):	500nA
frecuencia - transición:	250MHz
potencia - máx.:	150mW
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SOT-563, SOT-666
paquete de dispositivos del proveedor:	EMT6