NSS40300DDR2G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NSS40300DDR2G

NSS40300DDR2G

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Número de parte	NSS40300DDR2G
LIXINC Part #	NSS40300DDR2G
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - arreglos
Descripción	TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NSS40300DDR2G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 20 - Oct 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NSS40300DDR2G Especificaciones

Número de parte:	NSS40300DDR2G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - arreglos
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	2 PNP (Dual)
corriente - colector (ic) (max):	3A
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	40V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	170mV @ 200mA, 2A
corriente - corte del colector (máx.):	100nA (ICBO)
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	180 @ 1A, 2V
potencia - máx.:	653mW
frecuencia - transición:	100MHz
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SOIC

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