HN4A51JTE85LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN4A51JTE85LF

HN4A51JTE85LF

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Número de parte	HN4A51JTE85LF
LIXINC Part #	HN4A51JTE85LF
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - arreglos
Descripción	TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	HN4A51JTE85LF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 05 - Jul 09 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

HN4A51JTE85LF Especificaciones

Número de parte:	HN4A51JTE85LF
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - arreglos
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	2 PNP (Dual)
corriente - colector (ic) (max):	100mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	120V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 10mA
corriente - corte del colector (máx.):	100nA (ICBO)
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 2mA, 6V
potencia - máx.:	300mW
frecuencia - transición:	100MHz
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SC-74A, SOT-753
paquete de dispositivos del proveedor:	SMV