HN2C01FEYTE85LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN2C01FEYTE85LF

HN2C01FEYTE85LF

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Número de parte	HN2C01FEYTE85LF
LIXINC Part #	HN2C01FEYTE85LF
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - arreglos
Descripción	TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	HN2C01FEYTE85LF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 05 - Jul 09 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

HN2C01FEYTE85LF Especificaciones

Número de parte:	HN2C01FEYTE85LF
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - arreglos
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	2 NPN (Dual)
corriente - colector (ic) (max):	150mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	50V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	250mV @ 10mA, 100mA
corriente - corte del colector (máx.):	100nA (ICBO)
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	120 @ 2mA, 6V
potencia - máx.:	100mW
frecuencia - transición:	60MHz
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SOT-563, SOT-666
paquete de dispositivos del proveedor:	ES6

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