HN1B04F(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN1B04F(TE85L,F)

HN1B04F(TE85L,F)

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	HN1B04F(TE85L,F)
LIXINC Part #	HN1B04F(TE85L,F)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - arreglos
Descripción	TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	HN1B04F(TE85L,F) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

HN1B04F(TE85L,F) Especificaciones

Número de parte:	HN1B04F(TE85L,F)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - arreglos
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	NPN, PNP
corriente - colector (ic) (max):	500mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	30V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	250mV @ 10mA, 100mA
corriente - corte del colector (máx.):	100nA (ICBO)
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 100mA, 1V
potencia - máx.:	300mW
frecuencia - transición:	200MHz
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SC-74, SOT-457
paquete de dispositivos del proveedor:	SM6