BFR193L3E6327XTMA1 | IR (Infineon Technologies) BFR193L3E6327XTMA1 | BFR193L3E6327XTMA1 Inventory, Best Pricing

BFR193L3E6327XTMA1

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Número de parte	BFR193L3E6327XTMA1
LIXINC Part #	BFR193L3E6327XTMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolares (bjt) - rf
Descripción	RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BFR193L3E6327XTMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BFR193L3E6327XTMA1 Especificaciones

Número de parte:	BFR193L3E6327XTMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolares (bjt) - rf
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	NPN
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	12V
frecuencia - transición:	8GHz
figura de ruido (db typ @ f):	1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
ganar:	12.5dB ~ 19dB
potencia - máx.:	580mW
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 30mA, 8V
corriente - colector (ic) (max):	80mA
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SC-101, SOT-883
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TSLP-3-1