NSVMMBTH10LT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NSVMMBTH10LT1G

NSVMMBTH10LT1G

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Número de parte	NSVMMBTH10LT1G
LIXINC Part #	NSVMMBTH10LT1G
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolares (bjt) - rf
Descripción	RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NSVMMBTH10LT1G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NSVMMBTH10LT1G Especificaciones

Número de parte:	NSVMMBTH10LT1G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolares (bjt) - rf
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	NPN
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	25V
frecuencia - transición:	650MHz
figura de ruido (db typ @ f):	-
ganar:	-
potencia - máx.:	225mW
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	60 @ 4mA, 10V
corriente - colector (ic) (max):	-
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-23

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