BFS481H6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BFS481H6327XTSA1 | BFS481H6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BFS481H6327XTSA1

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	BFS481H6327XTSA1
LIXINC Part #	BFS481H6327XTSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolares (bjt) - rf
Descripción	RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BFS481H6327XTSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BFS481H6327XTSA1 Especificaciones

Número de parte:	BFS481H6327XTSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolares (bjt) - rf
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	2 NPN (Dual)
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	12V
frecuencia - transición:	8GHz
figura de ruido (db typ @ f):	0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
ganar:	20dB
potencia - máx.:	175mW
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 5mA, 8V
corriente - colector (ic) (max):	20mA
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
paquete de dispositivos del proveedor:	P-SOT363-6