HN3C10FUTE85LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN3C10FUTE85LF

HN3C10FUTE85LF

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Número de parte	HN3C10FUTE85LF
LIXINC Part #	HN3C10FUTE85LF
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolares (bjt) - rf
Descripción	RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	HN3C10FUTE85LF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

HN3C10FUTE85LF Especificaciones

Número de parte:	HN3C10FUTE85LF
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolares (bjt) - rf
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	2 NPN (Dual)
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	12V
frecuencia - transición:	7GHz
figura de ruido (db typ @ f):	1.1dB @ 1GHz
ganar:	11.5dB
potencia - máx.:	200mW
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 20mA, 10V
corriente - colector (ic) (max):	80mA
Temperatura de funcionamiento:	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquete de dispositivos del proveedor:	US6

MT3S111(TE85L,F)	RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI	7782 Más sobre el pedido
BFU590QX	RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3	2789 Más sobre el pedido
BFU530XRR	RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R	2137 Más sobre el pedido
BFR540,215	NPN 9 GHZ WIDEBAND TRANSISTOR	872 Más sobre el pedido
BFU580GX	RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT223	2886 Más sobre el pedido
UPA895TS-T3-A	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR	10948 Más sobre el pedido
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