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HSG1002VE-TL-E

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Número de parte	HSG1002VE-TL-E
LIXINC Part #	HSG1002VE-TL-E
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolares (bjt) - rf
Descripción	RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	HSG1002VE-TL-E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

HSG1002VE-TL-E Especificaciones

Número de parte:	HSG1002VE-TL-E
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolares (bjt) - rf
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	NPN
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	3.5V
frecuencia - transición:	38GHz
figura de ruido (db typ @ f):	0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
ganar:	8dB ~ 19.5dB
potencia - máx.:	200mW
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 5mA, 2V
corriente - colector (ic) (max):	35mA
Temperatura de funcionamiento:	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	4-SMD, Gull Wing
paquete de dispositivos del proveedor:	4-MFPAK

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
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