NESG2107M33-A | CEL (California Eastern Laboratories) NESG2107M33-A

NESG2107M33-A

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Número de parte	NESG2107M33-A
LIXINC Part #	NESG2107M33-A
Fabricante	CEL (California Eastern Laboratories)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolares (bjt) - rf
Descripción	RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NESG2107M33-A Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 25 - Oct 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NESG2107M33-A Especificaciones

Número de parte:	NESG2107M33-A
Marca:	CEL (California Eastern Laboratories)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolares (bjt) - rf
Fabricante:	CEL (California Eastern Laboratories)
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	NPN
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	5V
frecuencia - transición:	10GHz
figura de ruido (db typ @ f):	0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
ganar:	7dB ~ 10dB
potencia - máx.:	130mW
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	140 @ 5mA, 1V
corriente - colector (ic) (max):	100mA
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	3-SMD, Flat Lead
paquete de dispositivos del proveedor:	3-SuperMiniMold (M33)

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