RN1421TE85LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN1421TE85LF

RN1421TE85LF

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Número de parte	RN1421TE85LF
LIXINC Part #	RN1421TE85LF
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Descripción	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RN1421TE85LF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 03 - Jul 07 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RN1421TE85LF Especificaciones

Número de parte:	RN1421TE85LF
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	NPN - Pre-Biased
corriente - colector (ic) (max):	800 mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	50 V
resistencia - base (r1):	1 kOhms
resistencia - base del emisor (r2):	1 kOhms
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	60 @ 100mA, 1V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	250mV @ 2mA, 50mA
corriente - corte del colector (máx.):	500nA
frecuencia - transición:	300 MHz
potencia - máx.:	200 mW
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
paquete de dispositivos del proveedor:	S-Mini

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