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NSBA113EF3T5G

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Número de parte	NSBA113EF3T5G
LIXINC Part #	NSBA113EF3T5G
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Descripción	SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NSBA113EF3T5G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NSBA113EF3T5G Especificaciones

Número de parte:	NSBA113EF3T5G
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	PNP - Pre-Biased
corriente - colector (ic) (max):	100 mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	50 V
resistencia - base (r1):	1 kOhms
resistencia - base del emisor (r2):	1 kOhms
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	3 @ 5mA, 10V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	250mV @ 5mA, 10mA
corriente - corte del colector (máx.):	500nA
frecuencia - transición:	-
potencia - máx.:	254 mW
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SOT-1123
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-1123