FJN3312RTA | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FJN3312RTA

FJN3312RTA

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Número de parte	FJN3312RTA
LIXINC Part #	FJN3312RTA
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Descripción	TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FJN3312RTA Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 03 - Jul 07 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FJN3312RTA Especificaciones

Número de parte:	FJN3312RTA
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Box (TB)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	NPN - Pre-Biased
corriente - colector (ic) (max):	100 mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	40 V
resistencia - base (r1):	47 kOhms
resistencia - base del emisor (r2):	-
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 1mA, 5V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 10mA
corriente - corte del colector (máx.):	100nA (ICBO)
frecuencia - transición:	250 MHz
potencia - máx.:	300 mW
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-92-3