PDTD123YS,126 | NXP Semiconductors PDTD123YS,126 | PDTD123YS,126 Inventory, Best Pricing

PDTD123YS,126

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Número de parte	PDTD123YS,126
LIXINC Part #	PDTD123YS,126
Fabricante	NXP Semiconductors
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Descripción	TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	PDTD123YS,126 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 05 - Jul 09 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

PDTD123YS,126 Especificaciones

Número de parte:	PDTD123YS,126
Marca:	NXP Semiconductors
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Fabricante:	NXP Semiconductors
serie:	-
paquete:	Tape & Box (TB)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	NPN - Pre-Biased
corriente - colector (ic) (max):	500 mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	50 V
resistencia - base (r1):	2.2 kOhms
resistencia - base del emisor (r2):	10 kOhms
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 50mA, 5V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	300mV @ 2.5mA, 50mA
corriente - corte del colector (máx.):	500nA
frecuencia - transición:	-
potencia - máx.:	500 mW
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-92-3