RN1105MFV,L3F(CT

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Número de parte RN1105MFV,L3F(CT
LIXINC Part # RN1105MFV,L3F(CT
Fabricante Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría semiconductor discretotransistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Descripción TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD RN1105MFV,L3F(CT Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RN1105MFV,L3F(CT Especificaciones

Número de parte:RN1105MFV,L3F(CT
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Fabricante:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
corriente - colector (ic) (max):100 mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):50 V
resistencia - base (r1):2.2 kOhms
resistencia - base del emisor (r2):47 kOhms
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 10mA, 5V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 5mA
corriente - corte del colector (máx.):500nA
frecuencia - transición:-
potencia - máx.:150 mW
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:SOT-723
paquete de dispositivos del proveedor:VESM

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