RN1131MFV,L3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN1131MFV,L3F

RN1131MFV,L3F

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Número de parte	RN1131MFV,L3F
LIXINC Part #	RN1131MFV,L3F
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Descripción	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RN1131MFV,L3F Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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RN1131MFV,L3F Especificaciones

Número de parte:	RN1131MFV,L3F
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	NPN - Pre-Biased
corriente - colector (ic) (max):	100 mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	50 V
resistencia - base (r1):	100 kOhms
resistencia - base del emisor (r2):	-
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	120 @ 1mA, 5V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	300mV @ 500µA, 5mA
corriente - corte del colector (máx.):	100nA (ICBO)
frecuencia - transición:	-
potencia - máx.:	150 mW
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SOT-723
paquete de dispositivos del proveedor:	VESM

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