2SC4117-GR,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SC4117-GR,LF

2SC4117-GR,LF

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Número de parte	2SC4117-GR,LF
LIXINC Part #	2SC4117-GR,LF
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - simple
Descripción	NPN TRANSISTOR VCEO120V IC0.1A H
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SC4117-GR,LF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SC4117-GR,LF Especificaciones

Número de parte:	2SC4117-GR,LF
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - simple
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	NPN
corriente - colector (ic) (max):	100 mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	120 V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 10mA
corriente - corte del colector (máx.):	100nA (ICBO)
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 2mA, 6V
potencia - máx.:	100 mW
frecuencia - transición:	100MHz
Temperatura de funcionamiento:	125°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SC-70, SOT-323
paquete de dispositivos del proveedor:	USM