MMBT5550LT1G | Rochester Electronics MMBT5550LT1G | MMBT5550LT1G Inventory, Best Pricing

MMBT5550LT1G

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Número de parte	MMBT5550LT1G
LIXINC Part #	MMBT5550LT1G
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - simple
Descripción	SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MMBT5550LT1G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 27 - Oct 01 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MMBT5550LT1G Especificaciones

Número de parte:	MMBT5550LT1G
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - simple
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	NPN
corriente - colector (ic) (max):	600 mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	140 V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	250mV @ 5mA, 50mA
corriente - corte del colector (máx.):	100nA
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	60 @ 10mA, 5V
potencia - máx.:	225 mW
frecuencia - transición:	-
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-23-3 (TO-236)

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